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4N10L12

发布时间:2020/3/24 9:35:00 访问次数:67发布企业:深圳市翔睿腾科技有限公司

4N10L12

制造商:Infineon Technologies

说明:

MOSFET N-Ch 100V 60A DPAK-2

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装/ 箱体: TO-252-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 60 A

Rds On-漏源导通电阻: 9.8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 16 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.1 V

Qg-栅极电荷: 49 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 94 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 2.3 mm

长度: 6.5 mm

系列: XPD60N10

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 6.22 mm

商标: Infineon Technologies

下降时间: 21 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 3 ns

工厂包装数量: 2500

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 20 ns

典型接通延迟时间: 4 ns

零件号别名: IPD60N10S4L12ATMA1 SP000866550 IPD6N1S4L12XT IPD60N10S4L12ATMA1

单位重量: 4 g

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